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E-Beam電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)304不銹鋼圓柱形腔體，標準直徑有18英寸和24英寸，分子泵或冷凝泵；手動傳片或自動傳片,適合各種形狀尺寸的小片到200mm大的圓片，高真空背景傳遞；PLC自動控制界面，菜單控制，數(shù)據(jù)獲取和遠程控制，QCM膜厚監(jiān)控，光學膜厚監(jiān)控。

金屬有機化合物化學氣相沉積鍍膜設備 反應器的設計可以根據(jù)工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產的需要。我們也能為客戶設計以滿足客戶特殊工藝和應用的需要。系統(tǒng)部件包括：反應器、氣體傳輸系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng).

超高真空多腔室物理氣相沉積鍍膜系統(tǒng) 該系統(tǒng)由專業(yè)的沉積設備商制造,配置多種沉積方式（預留各種功能接口）,高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研.

等離子體增強化學氣相沉積鍍膜系統(tǒng) 通常選用射頻淋浴源（RF）或帶有不規(guī)則氣體分布的空心陰極射頻等離子體源作為反應源產生等粒子體。 部分PECVD可以升級到PECVD & 反應離子蝕刻雙功能系統(tǒng)（帶ICP源）

等離子體增強原子層沉積鍍膜系統(tǒng) 一個基本的原子層沉積循環(huán)包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件的工具。

脈沖激光分子束外延鍍膜系統(tǒng) 憑借著優(yōu)異的性能, PVD公司生產的脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)在國內外擁有較多用戶，為眾多老師開啟薄膜外延制備的新篇章。

脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng) 真空腔內照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態(tài)，然后被堆積到設在對面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學理論上準穩(wěn)定狀態(tài)的組成和構造的人工合成新材料。

反應離子刻蝕設備 為達到此目的，必須對真空度，氣體流量，離子加速電壓等進行佳調整，同時，為得到高密度的等離子體，需用磁控管施加磁場，以提高加工能力。 我司提供多型號的RIE刻蝕系統(tǒng)，滿足國內客戶研究和生產的需要。