簡要描述:脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng)真空腔內(nèi)照射到成膜靶上,靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態(tài),然后被堆積到設(shè)在對面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學(xué)理論上準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)的組成和構(gòu)造的人工合成新材料。
詳細(xì)介紹
品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng)
(Pulse Laser Deposition System)
原產(chǎn)國:美國
脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng)介紹:
PLD是將脈沖激光透過合成石英窗導(dǎo)入真空腔內(nèi)照射到成膜靶上,靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態(tài),然后被堆積到設(shè)在對面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學(xué)理論上準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)的組成和構(gòu)造的人工合成新材料。
我們PLD系統(tǒng)擁有好的性能價(jià)比,具體技術(shù)參數(shù)配置:
1.靶: 數(shù)量6個(gè),大小1-2英寸,被激光照射時(shí)可自動旋轉(zhuǎn),靶的選擇可通過步進(jìn)電機(jī)控制;
2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片,大小2英寸,加熱溫度可達(dá)1200攝氏度,溫度差<3%,加熱時(shí)基板可旋轉(zhuǎn),工作環(huán)境最大壓力是300mtorr;
3.基板加熱電源,最高到1200度;
4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì),內(nèi)表面電解拋光,本底真空度<5e-8 pa;
5.樣品搬運(yùn)室:不銹鋼sus304材質(zhì),內(nèi)表面電解拋光,本底真空度<5e-5 pa;
6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機(jī)械泵;
7.閥門: 采用超高真空擋板閥;
8.真空檢測:真空計(jì);
9.氣路兩套: 采用氣體流量計(jì)控制;
10.薄膜生長監(jiān)控系統(tǒng): 采用掃描型差分RHEED;
11.監(jiān)控軟件系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定,基板和靶的旋轉(zhuǎn),靶的更換等;
12.各種電流導(dǎo)入及測溫端子;
13.其它各種構(gòu)造:各種超高真空位移臺,磁力傳輸桿,超高真空法蘭,超高真空密封墊圈,超高真空用波紋管等;
用戶用最少的錢買到研究級高性能的純進(jìn)口PLD系統(tǒng)。
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