簡要描述:反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備為達(dá)到此目的,必須對真空度,氣體流量,離子加速電壓等進(jìn)行佳調(diào)整,同時,為得到高密度的等離子體,需用磁控管施加磁場,以提高加工能力。我司提供多型號的RIE刻蝕系統(tǒng),滿足國內(nèi)客戶研究和生產(chǎn)的需要。
詳細(xì)介紹
品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
---|---|---|---|
應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備
RIE,全稱是Reactive Ion Etching,反應(yīng)離子刻蝕,是一種微電子干法腐蝕工藝。
RIE是干蝕刻的一種,這種蝕刻的原理是,當(dāng)在平板電極之間施加10~100MHZ的高頻電壓(RF,radio frequency)時會產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層(ion sheath),在其中放入試樣,離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻,此即為RIE(Reactive Ion Etching)。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面,經(jīng)加速的多數(shù)離子不能與其他氣體分子等碰撞,而直接向試樣撞擊。為達(dá)到此目的,必須對真空度,氣體流量,離子加速電壓等進(jìn)行佳調(diào)整,同時,為得到高密度的等離子體,需用磁控管施加磁場,以提高加工能力。
我司提供多型號的RIE刻蝕系統(tǒng),滿足國內(nèi)客戶研究和生產(chǎn)的需要。
反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備
深反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)(Deep Reactive Ion Etching System)
RE系列反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)帶有淋浴頭式樣的氣體分配系統(tǒng)及水冷射頻壓盤,柜體為不銹鋼材質(zhì)。反應(yīng)腔體為13英寸鋁制、從頂端打開方便晶片裝載取出,最大可進(jìn)行8英寸直徑樣品實驗,帶有兩個艙門:一個艙門帶有2英寸視窗,另一個艙門用于終點探測及其他診斷。腔體可達(dá)到10-6 Torr壓力或更高,自直流偏置連續(xù)監(jiān)控、最大可達(dá)到500伏偏電壓(各向異性蝕刻)。該反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)為*由計算機控制的全自動設(shè)備。
DRIE系列深反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)帶有低溫晶片冷卻及偏置壓盤,設(shè)備使用2kw 8英寸ICP源,使用500L/秒的渦輪泵,在10-3Torr壓力范圍運行。
RIE 設(shè)備參數(shù):
鋁材腔體或不銹鋼腔體;
不銹鋼盒;
可以刻蝕硅化物(~400 ? /min)或金屬;
典型硅刻蝕速率 400 ? /min;
射頻源: 最大12"陽極化射頻平板(RF);
真空度:大約20分鐘內(nèi)達(dá)到1E-6Torr,極限真空5E-7Torr;
雙刻蝕容量:RIE和等離子刻蝕;
氣動升降蓋;
手動/全自動裝卸樣品;
預(yù)抽真空室;
電腦控制
選配ICp源和平臺的低溫冷卻實現(xiàn)深硅刻蝕。
反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)可選配:
1. 最高700W的高密度等離子源進(jìn)行各向同性蝕刻(isotropic etching);
2. ICP等離子源,2KW射頻電源及調(diào)諧器;
3. 低溫基底冷卻(Cryogenic substrate cooling);
4. 終點探測(End point detection) ;
5. 蘭繆爾探針;
6. 靜電卡盤(Electrostatic chuck);
7. 附加MFC’s;
8. 1KW射頻電流源及調(diào)諧器;
9. 低頻電流源及調(diào)諧器;
產(chǎn)品咨詢
電話
微信掃一掃