簡(jiǎn)要描述:E-Beam電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)304不銹鋼圓柱形腔體,標(biāo)準(zhǔn)直徑有18英寸和24英寸,分子泵或冷凝泵;手動(dòng)傳片或自動(dòng)傳片,適合各種形狀尺寸的小片到200mm大的圓片,高真空背景傳遞;PLC自動(dòng)控制界面,菜單控制,數(shù)據(jù)獲取和遠(yuǎn)程控制,QCM膜厚監(jiān)控,光學(xué)膜厚監(jiān)控。
詳細(xì)介紹
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電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
(E-Beam Evaporator System)
儀器介紹:
美國(guó)專業(yè)的制造商,擁有20多年豐富的經(jīng)驗(yàn)在:電子束蒸發(fā)設(shè)備、磁控濺射設(shè)備、熱蒸發(fā)設(shè)備等。有以下功能模式:
electron beam evaporation, 電子束蒸發(fā);
resistive evaporation,熱阻蒸發(fā);
ion beam assisted deposition (IBAD), 離子束輔助蒸發(fā)鍍膜;
effusion cell,瀉流源。
技術(shù)參數(shù):
Vacuum Chamber: 304不銹鋼圓柱形腔體,標(biāo)準(zhǔn)直徑有18英寸和24英寸 – scaled to match the specific application;
Pumping: 分子泵或冷凝泵;
Load Lock: 手動(dòng)傳片或自動(dòng)傳片,適合各種形狀尺寸的小片到200mm大的圓片,高真空背景傳遞;
Process Control: PC / PLC自動(dòng)控制界面,菜單控制,數(shù)據(jù)獲取和遠(yuǎn)程控制 ;
In-Situ Monitoring & Control: QCM膜厚監(jiān)控,光學(xué)膜厚監(jiān)控;
RGA殘余氣體分析;
Substrate Fixture: 單片,多片,行星式襯底夾具;
Substrate Holders: 可加熱,冷卻,偏壓,旋轉(zhuǎn);
Ion Source: 襯底預(yù)清洗,納米表面改性。
Deposition Techniques:
Magnetron Sputtering RF, DC, or Pulsed-DC,具有射頻濺射,直流濺射,脈沖直流濺射;
Electron Beam Evaporation,電子束蒸發(fā);
Thermal Evaporation,熱蒸發(fā);
Organic Evaporation for OLED/ PLED and Organic Electronics,有機(jī)蒸發(fā)(用于OLED/ PLED和有機(jī)電子);
Glancing Angle Depostion (GLAD),傾斜角沉積
Cathodic Arc Plasma Deposition,陰極等離子體輔助沉積。
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