簡要描述:電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等;
詳細介紹
品牌 | 其他品牌 | 應用領域 | 電子,電氣,綜合 |
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電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
儀器簡介:
全球?qū)I(yè)的沉積設備制造商,為各個領域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案:電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等;
E -Beam Evaporation System
2.高真空統(tǒng)High Vacuum E -Beam Evaporation System
3.超高真空Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System
4.離子輔助蒸發(fā)系統(tǒng)Ion Beam Assisted Evaporation System
5.離子電鍍系統(tǒng)Ion Plating System
6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System
7.在線電子束蒸發(fā)系統(tǒng)In-line E -Beam Evaporation System
電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)技術參數(shù):
1.電子束源&電源
單個或者可自由切換換電子束源:
--蒸發(fā)室數(shù)量 1 ~ 12(標配: 4, 6)
--坩堝容量:7 ~ 40 cc (最大可達200 cc)
--標準:25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket)
--最大:200 cc (156cc for UHV) 可用于長時間的沉積
--偏轉(zhuǎn)角度:180o, 270o
--輸出功率:6, 10, 15, 20 kW
--支持兩個或者三個電子束源在一個系統(tǒng)上
--可連續(xù)或者同時沉積兩種或三種材料
--高速率沉積
2.薄膜沉積控制:
IC-5 ( or XTC, XTM) 和計算機控制
--沉積過程參數(shù)可控
--石英晶體振蕩傳感器
--光學檢測系統(tǒng)用于光學多層薄膜沉積:測量波長范圍350-2000 nm,分辨率1 nm
--薄膜厚度檢測和處理過程可通過計算機程序控制
--薄膜厚度檢測和沉積速率可通過計算機程序控制
--支持大面積沉積
--支持在線電子束蒸發(fā)沉積
--基底尺寸:20~100英寸
--薄膜均勻性 <±1.0 to 5.0 %
3.真空腔體:
--圓柱形腔體
--直徑:φ500 ~ 1,500 mm
--高度:800 ~ 1500 mm
--方形腔體
--根據(jù)客戶的需求定制
4.真空泵和測量裝置:
--低真空:干泵和convectron真空規(guī)
--高真空:渦輪分子泵,低溫泵和離子規(guī)
--超高真空:雙級渦輪分子泵,離子泵和離子規(guī)
5.控制系統(tǒng)PLC和 觸摸屏計算機:
--硬件: PLC, 觸摸屏計算機
--包括模擬和數(shù)字輸入/輸出卡
--顯示器: LCD
--自動和手動程序控制
--程序控制:加載,編輯和保存
--程序激活控制:
--泵抽真空,蒸發(fā)沉積,加熱, 旋轉(zhuǎn)等
--膜厚度檢測和控制多層薄膜沉積
--系統(tǒng)狀態(tài),數(shù)據(jù)加載等
--問題解答和聯(lián)動狀態(tài)
擴展功能:
1、質(zhì)量流量控制器:反應和等離子體輔助惰性氣體控制
2、離子源和控制器:等離子體輔助沉積
3、射頻電源:基底預先處理
4、溫度控制器:基底加熱
5、熱蒸發(fā)器:1 or 2 boat
6、蒸鍍源cell:1 or 2 for doping
7、冷卻器:系統(tǒng)冷卻
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