簡(jiǎn)要描述:單離子注入聚焦離子束測(cè)試設(shè)備量子和納米級(jí)材料工程的先進(jìn)平臺(tái)Q-One™是先進(jìn)的聚焦離子束平臺(tái),用于先進(jìn)的器件制造和納米級(jí)材料工程。Q-One具有確定性單離子注入功能,是第一臺(tái)專門(mén)為滿足量子研究的苛刻要求而設(shè)計(jì)的儀器。
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單離子注入聚焦離子束測(cè)試設(shè)備
量子和納米級(jí)材料工程的先進(jìn)平臺(tái)
Q-One™是先進(jìn)的聚焦離子束平臺(tái),用于先進(jìn)的器件制造和納米級(jí)材料工程。Q-One具有確定性單離子注入功能,是第一臺(tái)專門(mén)為滿足量子研究的苛刻要求而設(shè)計(jì)的儀器。
主要特點(diǎn):
高分辨率質(zhì)量過(guò)濾聚焦離子束
確定性單離子檢測(cè),檢測(cè)效率高達(dá)98%
可選擇液態(tài)金屬或等離子離子源
離子選擇和廣泛的植入物種類
飛安級(jí)光束電流,可實(shí)現(xiàn)精確的單離子事件
納米級(jí)精密載物臺(tái),可處理高達(dá) 6 英寸的晶圓
專有的注入和光刻軟件
確定性單離子注入意味著以令人難以置信的精度將單個(gè)離子放入底物中,并知道已經(jīng)發(fā)生了注入。Q-One使用超靈敏植入后檢測(cè)系統(tǒng)技術(shù)來(lái)檢測(cè)每次離子撞擊時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)。
單離子注入聚焦離子束測(cè)試設(shè)備Q-One提供廣泛的植入元件。液態(tài)金屬離子源(LMIS)技術(shù)在單個(gè)源中產(chǎn)生不同元素的多個(gè)離子,包括團(tuán)簇和多電荷物種。
有幾種合金成分可供選擇,包括硅、鉺、釹、金和鉍。利用我們多年的專業(yè)知識(shí),我們確保每個(gè)源頭都以最佳方式流動(dòng),以實(shí)現(xiàn)最大的穩(wěn)定性。單獨(dú)的等離子體離子源也可用于氫、氮、氧和其他氣態(tài)元素。
應(yīng)用
量子技術(shù)
嵌入半導(dǎo)體矩陣中的單個(gè)雜質(zhì)原子作為量子比特(量子比特)顯示出巨大的前景。單離子注入能夠產(chǎn)生大量相同的量子比特陣列,是可重復(fù)制造這些和其他量子器件的關(guān)鍵途徑。
然而,公差是最小的——每個(gè)原子必須非常精確地放置,有時(shí)距離其鄰居只有20納米。Q-One是針對(duì)此應(yīng)用而設(shè)計(jì)的工具,其規(guī)格針對(duì)這些要求。
應(yīng)用
摻雜納米材料
Q-One不僅限于注入單個(gè)離子。將任何所需的離子劑量植入任何位置,甚至可以使用專有軟件植入自定義區(qū)域或形狀。
摻雜納米材料,如納米線或具有不同元素的量子點(diǎn),可以改變其性質(zhì)。Q-One通過(guò)允許您靶向單個(gè)納米材料并使用各種摻雜劑探索不同的行為,開(kāi)辟了一個(gè)充滿可能性的世界。
應(yīng)用
離子光刻
Q-One允許用戶執(zhí)行直接寫(xiě)入光刻,就像普通FIB一樣,但種類范圍更廣,離子劑量控制更好。使用鉍等重元素進(jìn)行高效濺射,或使用氫等輕元素進(jìn)行基于光刻膠的離子光刻,甚至包括單離子事件。
如果沒(méi)有檢測(cè)每個(gè)注入事件的方法,就不可能精確地注入單個(gè)離子。系統(tǒng)提供速度和可擴(kuò)展性,不需要復(fù)雜的預(yù)制。因此,您可以不受阻礙地選擇植入物種類和目標(biāo)材料。
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