簡(jiǎn)要描述:光刻機(jī)/紫外曝光機(jī)該公司是目前世界上早將光刻機(jī)商品化的公司之一,擁有雄厚的技術(shù)研發(fā)力量和設(shè)備生產(chǎn)能力;并且其設(shè)備被眾多著名企業(yè)、研發(fā)中心、研究所和高校所采用;以優(yōu)秀的技術(shù)、精妙的工藝和良好的服務(wù),贏得了用戶的青睞。
產(chǎn)品分類
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品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,電氣,綜合 |
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光刻機(jī)/紫外曝光機(jī)
儀器簡(jiǎn)介:
光刻機(jī)/紫外曝光機(jī) (Mask Aligner)
原產(chǎn)國(guó): 韓國(guó)MIDAS公司,一能做到圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)光刻機(jī),高性價(jià)比
型號(hào):MDA-400M, MDA-60MS
又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng),光刻機(jī),紫外曝光機(jī)等;
MIDAS為全球*的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商,多年來(lái)致力于掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)和勻膠機(jī)研發(fā)與生產(chǎn),并且廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、生物器件和納米科技領(lǐng)域;該公司是目前較早將光刻機(jī)商品化的公司之一,擁有雄厚的技術(shù)研發(fā)力量和設(shè)備生產(chǎn)能力;并且其設(shè)備被眾多著名企業(yè)、研發(fā)中心、研究所和高校所采用;以優(yōu)秀的技術(shù)、精秀的工藝和良好的服務(wù),贏得了用戶的青睞。
感謝南開(kāi)大學(xué),中科院半導(dǎo)體所,中科院長(zhǎng)春應(yīng)化所,中科院物理所,浙江師范大學(xué)使用此設(shè)備做課題研究!!
此型號(hào)光刻機(jī)是所有進(jìn)口設(shè)備中性能價(jià)格比最高的型號(hào),達(dá)到歐美品牌的對(duì)準(zhǔn)精度,CCD顯示屏對(duì)準(zhǔn)更為方便,液晶觸摸屏操作,采用歐司朗紫外燈,壽命長(zhǎng)。整機(jī)效果皮實(shí)耐用,正常使用3年內(nèi)不會(huì)出問(wèn)題??!
目前,上海藍(lán)光已采用該公司全自動(dòng)型光刻機(jī)做LED量化生產(chǎn),證明其品質(zhì)達(dá)到LED產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求??!而且已經(jīng)成功提供圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)光刻工藝設(shè)備
技術(shù)參數(shù):
- 基片尺寸:4、6、8、12、25英寸,其他尺寸可定制;
- 光束均勻性:<±3%;
- 曝光時(shí)間可調(diào)范圍:0.1 to 999.9秒;
- 對(duì)準(zhǔn)精度:0.6-1微米
- 分辨率:1微米;
- 光束輸出強(qiáng)度:15-25mW/cm2;
項(xiàng)目 | 技術(shù)規(guī)格 | |
曝光系統(tǒng)(Exposure System) MDA-400M型 | 光源功率 | 350W UV Exposure Light source with Power supply |
分辨率 | - Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer ) - Hard Contact : 1um - Soft contact : 2um - 20um Proximity: 5um | |
最大光束尺寸 | 4.25×4.25 inch | |
光束均勻性 | ≤ ±3% (4inch standard) | |
光束強(qiáng)度 | 15~20mW/cm2 (365nm Intensity) | |
曝光時(shí)間可調(diào)整 | 0.1 to 999.9 sec | |
對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(Alignment System) | 對(duì)準(zhǔn)精度 | 1um |
對(duì)準(zhǔn)間隙 | 手動(dòng)調(diào)節(jié)(數(shù)字顯示) | |
光刻模式 | 真空, 硬接觸, 軟接觸,漸進(jìn)(Proximity) | |
卡盤(pán)水平調(diào)節(jié) | 楔形錯(cuò)誤補(bǔ)償Wedge Error Compensation | |
真空卡盤(pán)移動(dòng) | X, Y: 10 mm, Theta: ±5° | |
Z向移動(dòng)范圍 | 10mm | |
接近調(diào)整步幅 | 1um | |
樣品(Sample) | 基底 Substrate | 2, 3, 4 inch |
掩模板尺寸 | 4 and 5 inch | |
Utilities | 真空 Vacuum | < -200 mbar (系統(tǒng)包含真空泵) |
壓縮空氣 CDA | > 5Kg/cm2 | |
氮?dú)?N2 | >3Kg/cm2 | |
電源 Electricity | 220V, 15A, 1Phase | |
顯微鏡及顯示器 CCD and Monitor | Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x; |
主要特點(diǎn):
- 光源強(qiáng)度可控;
- 紫外曝光,深紫外曝光(Option);
- 系統(tǒng)控制:手動(dòng)、半自動(dòng)和全自動(dòng)控制;
- 曝光模式:真空接觸模式(接觸力可調(diào)),Proximity接近模式, 投影模式;
- 真空吸盤(pán)范圍可調(diào);
-技術(shù):可雙面對(duì)準(zhǔn),可雙面光刻,具有IR和CCD模式
- 兩個(gè)CCD顯微鏡系統(tǒng),最大放大1000倍,顯示屏直接調(diào)節(jié),比傳統(tǒng)目鏡對(duì)準(zhǔn)更方便快捷,易于操作。
- 特殊的基底卡盤(pán)可定做;
- 具有楔形補(bǔ)償功能;
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